[자연과학] [전자회로實驗] 증가형 MOSFET의 단자 속성 과 바이어싱 결과
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작성일 21-03-16 19:33
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MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산…(생략(省略))
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다.
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experiment(실험) .증가형 MOSFET의 단자 特性과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 特性
-회로-
-파형-
2) ID - VDS 特性
-회로-
-파형-
3) 마디전압
-회로-
-파형-
4)드레인 전류
-회로-
-파형-
2.experiment(실험) 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 特性 측정(測定)
VGS(V)
10
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101
n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 特性 측정(測定)
VGS(V)
2
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
0.118
0.122
0.125
0.128
0.130
0.135
0.141
0.151
VGS(V)
4
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
2....
experiment(실험) .증가형 MOSFET의 단자 特性과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 特性
-회로-
-파형-
2) ID - VDS 特性
-회로-
-파형-
3) 마디전압
-회로-
-파형-
4)드레인 전류
-회로-
-파형-
2.experiment(실험) 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 特性 측정(測定)
VGS(V)
10
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101
n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 特性 측정(測定)
VGS(V)
2
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
0.118
0.122
0.125
0.128
0.130
0.135
0.141
0.151
VGS(V)
4
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
2.962
3.319
3.406
3.468
3.518
3.605
3.693
3.850
VGS(V)
6
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
5.837
8.978
9.743
9.957
10.090
10.265
10.408
10.621
VGS(V)
8
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
8.15
14.57
17.41
18.15
18.39
18.65
18.80
18.99
VGS(V)
10
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
9.43
18.95
24.60
27.25
27.97
28.28
28.30
28.23
3.고찰
이번 experiment(실험)은 증가형 MOFET의 단자 特性과 바이어싱에 관한 experiment(실험)이었다.
